갈륨 안티몬화물 GaSb

설명

갈륨 안티몬화물 GaSb아연 혼합 격자 구조의 III-V족 화합물 반도체는 6N 7N 고순도 갈륨과 안티몬 원소에 의해 합성되고 EPD<1000cm인 방향 동결 다결정 잉곳 또는 VGF 방법에서 LEC 방법에 의해 결정으로 성장합니다.^-3.GaSb 웨이퍼는 전기적 매개변수의 높은 균일성, 독특하고 일정한 격자 구조, 낮은 결함 밀도, 대부분의 다른 비금속 화합물보다 높은 굴절률을 갖는 단결정 잉곳으로 슬라이스 및 제조될 수 있습니다.GaSb는 정확한 배향 또는 오프 배향, 낮거나 높은 도핑 농도, 우수한 표면 마감 및 MBE 또는 MOCVD 에피택셜 성장에서 다양한 선택으로 처리할 수 있습니다.갈륨 안티모나이드 기판은 광 검출기, 수명이 길고 감도 및 신뢰성이 높은 적외선 검출기, 포토레지스트 부품, 적외선 LED 및 레이저, 트랜지스터, 열 태양 전지 등의 제조와 같은 최첨단 광광학 및 광전자 응용 분야에 활용되고 있습니다. 및 열-태양광 시스템.

배달

Western Minmetals(SC) Corporation의 Gallium Antimonide GaSb는 2" 3" 및 4"(50mm, 75mm, 100mm) 직경, 방향 <111> 크기의 n형, p형 및 도핑되지 않은 반절연 전도성으로 제공될 수 있습니다. 또는 <100>, 그리고 웨이퍼 표면 마감으로 절단, 에칭, 광택 처리 또는 고품질 에피택시 준비 마감 처리.모든 슬라이스는 식별을 위해 개별적으로 레이저 스크라이빙됩니다.한편, 다결정질 갈륨 안티몬화물 GaSb 덩어리도 완벽한 솔루션에 대한 요청에 따라 사용자 정의됩니다.

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세부

갈륨 안티몬화물 GaSb기판은 광 검출기, 긴 수명, 고감도 및 신뢰성을 갖춘 적외선 검출기, 포토레지스트 부품, 적외선 LED 및 레이저, 트랜지스터, 열 태양광 전지 및 열전사 장치의 제조와 같은 최첨단 광광학 및 광전자 응용 분야에 활용되고 있습니다. -태양광 시스템.

	아이템	표준 사양
1	크기	2"	3"	4"
2	직경 mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	성장 방법	LEC	LEC	LEC
4	전도도	P형/Zn 도핑, 미도핑, N형/Te 도핑
5	정위	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	두께 μm	500±25	600±25	800±25
7	오리엔테이션 플랫 mm	16±2	22±1	32.5±1
8	식별 플랫 mm	8±1	11±1	18±1
9	이동성 cm2/Vs	200-3500 또는 필요에 따라
10	캐리어 농도 cm-3	(1-100)E17 또는 필요에 따라
11	최대 TTV μm	15	15	15
12	활 μm 최대	15	15	15
13	워프 μm 최대	20	20	20
14	전위 밀도 cm-2 최대	500	1000	2000년
15	표면 마감	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	포장	알루미늄 백에 밀봉된 단일 웨이퍼 컨테이너.

선형 공식	가스비
분자 무게	191.48
결정 구조	아연 블렌드
모습	회색 결정질 고체
녹는 점	710°C
비점	해당 없음
300K에서의 밀도	5.61g/cm³
에너지 갭	0.726eV
고유 저항	1E3 Ω-cm
CAS 번호	12064-03-8
EC 번호	235-058-8

갈륨 안티몬화물 GaSbWestern Minmetals(SC) Corporation에서 2" 3" 및 4"(50mm, 75mm, 100mm) 직경, 방향 <111> 또는 <100 크기의 n형, p형 및 도핑되지 않은 반절연 전도도를 제공할 수 있습니다. >, 절단, 에칭, 광택 처리 또는 고품질 에피택시 준비 마감의 웨이퍼 표면 마감 처리.모든 슬라이스는 식별을 위해 개별적으로 레이저 스크라이빙됩니다.한편, 다결정질 갈륨 안티몬화물 GaSb 덩어리도 완벽한 솔루션에 대한 요청에 따라 사용자 정의됩니다.