인듐 비소 InAs

설명

인듐 비소 InAs 결정은 6N 7N 이상의 순수 인듐 및 비소 원소에 의해 합성되고 VGF 또는 LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) 공정에 의해 단결정 성장한 III-V족 화합물 반도체, 회색 외관, 아연 블렌드 구조의 입방 결정입니다. , 융점 942 °C.인듐 비소 밴드 갭은 갈륨 비소와 동일한 직접 전이이며 금지 밴드 폭은 0.45eV(300K)입니다.InAs 결정은 전기적 매개변수의 높은 균일성, 일정한 격자, 높은 전자 이동도 및 낮은 결함 밀도를 가지고 있습니다.VGF 또는 LEC에 의해 성장된 원통형 InAs 결정은 MBE 또는 MOCVD 에피택셜 성장을 위해 절단, 에칭, 연마 또는 에피 준비가 된 웨이퍼로 슬라이스 및 제작될 수 있습니다.

애플리케이션

인듐 비소 결정 웨이퍼는 홀 장치와 자기장 센서를 만들기 위한 훌륭한 기판으로 최고의 홀 이동성을 제공하지만 에너지 밴드갭이 좁고, 고출력 응용 분야에 사용되는 파장 범위가 1–3.8 µm인 적외선 감지기의 구성에 이상적인 재료입니다. 실온에서 뿐만 아니라 중파장 적외선 초격자 레이저, 2-14μm 파장 범위에 대한 중적외선 LED 장치 제조.또한 InAs는 이종 InGaAs, InAsSb, InAsPSb 및 InNAsSb 또는 AlGaSb 초격자 구조 등을 추가로 지원하는 이상적인 기판입니다.

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세부

인듐 비소 결정 웨이퍼최고의 홀 이동성을 제공하지만 좁은 에너지 밴드갭을 위한 홀 장치 및 자기장 센서를 만들기 위한 훌륭한 기판으로, 실온에서 고전력 응용 분야에 사용되는 파장 범위가 1–3.8 µm인 적외선 감지기의 구성에 이상적인 재료입니다. 뿐만 아니라 중파장 적외선 초격자 레이저, 2-14μm 파장 범위를 위한 중적외선 LED 장치 제조.또한 InAs는 이종 InGaAs, InAsSb, InAsPSb 및 InNAsSb 또는 AlGaSb 초격자 구조 등을 추가로 지원하는 이상적인 기판입니다.

아니.	아이템	표준 사양
1	크기	2"	3"	4"
2	직경 mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	성장 방법	LEC	LEC	LEC
4	전도도	P형/Zn 도핑, N형/S 도핑, 미도핑
5	정위	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	두께 μm	500±25	600±25	800±25
7	오리엔테이션 플랫 mm	16±2	22±2	32±2
8	식별 플랫 mm	8±1	11±1	18±1
9	이동성 cm2/Vs	60-300, ≥2000 또는 필요에 따라
10	캐리어 농도 cm-3	(3-80)E17 또는 ≤5E16
11	최대 TTV μm	10	10	10
12	활 μm 최대	10	10	10
13	워프 μm 최대	15	15	15
14	전위 밀도 cm-2 최대	1000	2000년	5000
15	표면 마감	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	포장	알루미늄 백에 밀봉된 단일 웨이퍼 컨테이너.

선형 공식	InAs
분자 무게	189.74
결정 구조	아연 블렌드
모습	회색 결정질 고체
녹는 점	(936-942)°C
비점	해당 없음
300K에서의 밀도	5.67g/cm³
에너지 갭	0.354eV
고유 저항	0.16Ω-cm
CAS 번호	1303-11-3
EC 번호	215-115-3

인듐 비소 InAsWestern Minmetals(SC) Corporation에서는 직경 2" 3" 및 4"(50mm, 75mm, 100mm) 크기의 다결정 덩어리 또는 단결정 as-cut, 에칭, 연마 또는 epi-ready 웨이퍼로 공급할 수 있습니다. p형, n형 또는 도핑되지 않은 전도도 및 <111> 또는 <100> 배향.맞춤형 사양은 전 세계 고객에게 완벽한 솔루션을 제공합니다.