탄화규소 SiC

설명

탄화규소 웨이퍼 SiC, MOCVD법으로 합성한 실리콘과 탄소의 결정성 화합물로 매우 단단하며,고유한 넓은 밴드 갭 및 낮은 열팽창 계수, 높은 작동 온도, 우수한 방열성, 낮은 스위칭 및 전도 손실, 보다 높은 에너지 효율, 높은 열 전도성 및 보다 강한 전기장 파괴 강도, 보다 집중된 전류의 기타 유리한 특성 상태.Western Minmetals(SC) Corporation의 탄화규소 SiC는 2" 3' 4" 및 6"(50mm, 75mm, 100mm, 150mm) 직경의 크기로 제공될 수 있으며 산업용 n형 반절연 또는 더미 웨이퍼 및 실험실 응용 프로그램. 모든 맞춤형 사양은 전 세계 고객에게 완벽한 솔루션입니다.

애플리케이션

고품질 4H/6H 실리콘 카바이드 SiC 웨이퍼는 쇼트키 다이오드 및 SBD, 고전력 스위칭 MOSFET 및 JFET 등과 같은 많은 첨단 고속, 고온 및 고전압 전자 장치의 제조에 적합합니다. 또한 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 및 사이리스터의 연구 개발에 바람직한 재료입니다.뛰어난 차세대 반도체 재료인 탄화규소 SiC 웨이퍼는 고전력 LED 구성요소에서 효율적인 방열판 역할을 하거나 미래의 과학적 탐구를 위해 성장하는 GaN 층을 위한 안정적이고 대중적인 기판으로도 사용됩니다.

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세부

탄화규소 SiCWestern Minmetals (SC) Corporation에서 산업 및 실험실 적용을 위한 n형, 반절연 또는 더미 웨이퍼와 함께 2" 3' 4" 및 6"(50mm, 75mm, 100mm, 150mm) 직경의 크기로 제공될 수 있습니다. .모든 맞춤형 사양은 전 세계 고객에게 완벽한 솔루션을 제공합니다.

선형 공식	SiC
분자 무게	40.1
결정 구조	우르츠광
모습	단단한
녹는 점	3103±40K
비점	해당 없음
300K에서의 밀도	3.21g/cm³
에너지 갭	(3.00-3.23) eV
고유 저항	>1E5 Ω-cm
CAS 번호	409-21-2
EC 번호	206-991-8

아니.	아이템	표준 사양
1	SiC 크기	2"	3"	4"	6"
2	직경 mm	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	성장 방법	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	전도도 유형	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	저항 Ω-cm	0.015-0.028;0.02-0.1;>1E5
6	정위	0°±0.5°;<1120> 방향으로 4.0°
7	두께 μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	기본 플랫 위치	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	기본 평면 길이 mm	16±1.7	22.2±3.2	32.5±2	47.5±2.5
10	보조 플랫 위치	실리콘 페이스 업: 90°, 프라임 플랫에서 시계 방향으로 ±5.0°
11	보조 평면 길이 mm	8±1.7	11.2±1.5	18±2	22±2.5
12	최대 TTV μm	15	15	15	15
13	활 μm 최대	40	40	40	40
14	워프 μm 최대	60	60	60	60
15	가장자리 제외 mm 최대	1	2	3	3
16	마이크로파이프 밀도 cm-2	<5, 산업;<15, 연구실;<50, 더미
17	전위 cm-2	<3000, 산업;<20000, 연구실;<500000, 더미
18	표면 거칠기 nm 최대	1(광택), 0.5(CMP)
19	균열	없음, 산업 등급용
20	육각 플레이트	없음, 산업 등급용
21	긁힌 자국	≤3mm, 기판 직경보다 작은 총 길이
22	에지 칩	없음, 산업 등급용
23	포장	알루미늄 복합 백에 밀봉된 단일 웨이퍼 컨테이너.

탄화규소 SiC 4H/6H고품질 웨이퍼는 쇼트키 다이오드 및 SBD, 고전력 스위칭 MOSFET 및 JFET 등과 같은 최첨단 고속, 고온 및 고전압 전자 장치의 제조에 적합합니다. 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 및 사이리스터의 연구 및 개발.뛰어난 차세대 반도체 재료인 탄화규소 SiC 웨이퍼는 고전력 LED 구성요소에서 효율적인 방열판 역할을 하거나 미래의 과학적 탐구를 위해 성장하는 GaN 층을 위한 안정적이고 대중적인 기판으로도 사용됩니다.