인듐 안티몬화물 InSb

설명

I인듐 안티몬화물 InSb, 아연 혼합 격자 구조의 III-V 족 결정 화합물 반도체는 6N 7N 고순도 인듐과 안티몬 원소에 의해 합성되고 다중 영역 정제된 다결정 잉곳으로부터 VGF법 또는 Liquid Encapsulated Czochralski LEC법에 의해 단결정 성장, 웨이퍼 및 블록으로 슬라이스 및 가공될 수 있습니다.InSb는 상온에서 0.17eV의 좁은 밴드 갭, 1-5μm 파장에 대한 고감도, 초고 홀 이동도를 갖는 직접 전이 반도체입니다.인듐 안티모나이드 InSb n형, p형 및 반절연 전도성 Western Minmetals(SC) Corporation은 1" 2" 3" 및 4"(30mm, 50mm, 75mm, 100mm) 직경, 방향 < 111> 또는 <100>, 그리고 웨이퍼 표면 마감 처리된 그대로, 래핑, 에칭 및 폴리싱됨.도핑되지 않은 n형이 있는 Dia.50-80mm의 인듐 안티모나이드 InSb 타겟도 사용할 수 있습니다.한편, 불규칙한 덩어리 또는 블랭크(15-40) x (40-80)mm 크기의 다결정 안티몬화 인듐 InSb(다결정 InSb) 및 D30-80mm의 환봉도 요청 시 완벽한 솔루션으로 맞춤화됩니다.

신청

인듐 안티모나이드 InSb는 첨단 열화상 솔루션, FLIR 시스템, 홀 요소 및 자기 저항 효과 요소, 적외선 유도 미사일 유도 시스템, 고반응성 적외선 광검출기 센서와 같은 많은 첨단 부품 및 장치 생산에 이상적인 기판입니다. , 고정밀 자기 및 회전 저항 센서, 초점 평면 어레이 및 테라 헤르츠 방사선 소스 및 적외선 천문 우주 망원경 등에도 적용됩니다.

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세부

인듐 안티몬화물 기질(InSb 기판, InSb 웨이퍼) Western Minmetals(SC) Corporation의 n형 또는 p형은 1" 2" 3" 및 4"(30, 50, 75 및 100mm) 직경, 방향 <111> 또는 <100>의 크기로 제공될 수 있으며, 웨이퍼 표면에 래핑, 에칭, 광택 마감 처리 인듐 안티모나이드 단결정 막대(InSb 단결정 막대)도 요청 시 공급할 수 있습니다.

인듐 안티몬화물P불규칙한 덩어리 또는 공백(15-40)x(40-80)mm 크기의 olycrystalline(InSb 다결정 또는 다결정 InSb)도 요청 시 완벽한 솔루션으로 맞춤화됩니다.

한편, n형이 도핑되지 않은 Dia.50-80mm의 InSb Target(InSb Target)도 제공됩니다.

아니.	아이템	표준 사양
1	인듐 안티몬화물 기질	2"	3"	4"
2	직경 mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	성장 방법	LEC	LEC	LEC
4	전도도	P형/Zn,Ge 도핑, N형/Te 도핑, 비도핑
5	정위	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	두께 μm	500±25	600±25	800±25
7	오리엔테이션 플랫 mm	16±2	22±1	32.5±1
8	식별 플랫 mm	8±1	11±1	18±1
9	이동성 cm2/Vs	1-7E5 N/도핑되지 않음, 3E5-2E4 N/Te 도핑, 8-0.6E3 또는 ≤8E13 P/Ge 도핑
10	캐리어 농도 cm-3	6E13-3E14 N/도핑되지 않음, 3E14-2E18 N/Te 도핑, 1E14-9E17 또는 <1E14 P/Ge 도핑
11	최대 TTV μm	15	15	15
12	활 μm 최대	15	15	15
13	워프 μm 최대	20	20	20
14	전위 밀도 cm-2 최대	50	50	50
15	표면 마감	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	포장	알루미늄 백에 밀봉된 단일 웨이퍼 컨테이너.

아니.	아이템	표준 사양
아니.	아이템	I인듐 안티몬화물 다결정질	인듐 안티몬화물 표적
1	전도도	도핑되지 않은	도핑되지 않은
2	캐리어 농도 cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	기동성 cm²/대	5-7E5	6.9-7.9E4
4	크기	15-40x40-80mm	D(50-80) mm
5	포장	합성 알루미늄 부대에서, 외부 판지 상자

선형 공식	InSb
분자 무게	236.58
결정 구조	아연 블렌드
모습	다크 그레이 메탈릭 크리스탈
녹는 점	527 °C
비점	해당 없음
300K에서의 밀도	5.78g/cm³
에너지 갭	0.17eV
고유 저항	4E(-3) Ω-cm
CAS 번호	1312-41-0
EC 번호	215-192-3

인듐 안티몬화물 InSb웨이퍼는 첨단 열화상 솔루션, FLIR 시스템, 홀 요소 및 자기 저항 효과 요소, 적외선 유도 미사일 유도 시스템, 고 반응성 적외선 광검출기 센서, 높은 -정밀 자기 및 회전 저항 센서, 초점 평면 어레이, 테라헤르츠 방사원 및 적외선 천문 우주 망원경 등에 적합합니다.